紫外吸收光譜UV

　　分(fen)析原理：吸收紫外光能量(liang)，引(yin)起(qi)分(fen)子中電子能級的躍遷

　　譜(pu)圖(tu)的表示方(fang)法：相對吸(xi)收光能(neng)量隨吸(xi)收光波長的變化

　　提(ti)供(gong)(gong)的信(xin)息：吸收峰的位置、強(qiang)度和形狀，提(ti)供(gong)(gong)分子(zi)中不同電子(zi)結構的信(xin)息

　　熒光光譜法FS

　　分析(xi)原理：被電磁(ci)輻射激(ji)發后，從最(zui)低單線(xian)激(ji)發態(tai)回到單線(xian)基態(tai)，發射熒(ying)光

　　譜圖的(de)表示方法：發射的(de)熒光能量隨光波長的(de)變化

　　提供的信息(xi)(xi)：熒光效率(lv)和壽命，提供分子中不同(tong)電子結構的信息(xi)(xi)

　　紅外吸收光譜法IR

　　分析原(yuan)理：吸收紅(hong)外光能量，引(yin)起具有偶極矩變(bian)化(hua)的分子(zi)的振動、轉動能級躍遷

　　譜圖(tu)的表示方(fang)法：相對透(tou)(tou)射光(guang)能量(liang)隨(sui)透(tou)(tou)射光(guang)頻率變(bian)化

　　提供的信(xin)息：峰的位(wei)置、強(qiang)度和形狀，提供功能(neng)團或化學鍵的特征振動(dong)頻(pin)率

　　拉曼光譜法Ram

　　分(fen)析原理：吸收光能后，引起具有(you)極化率變化的分(fen)子振動，產生拉曼散射

　　譜圖的表示方法：散射光能(neng)量隨拉曼位移(yi)的變化

　　提(ti)供的信息：峰的位置(zhi)、強度和(he)形狀，提(ti)供功能團(tuan)或化學鍵的特征振(zhen)動頻率

　　核磁共振波譜法NMR

　　分(fen)析原(yuan)理(li)：在外(wai)磁(ci)場(chang)中(zhong)，具有核磁(ci)矩(ju)的原(yuan)子核，吸(xi)收射頻(pin)能量，產(chan)生核自旋能級的躍遷

　　譜圖(tu)的表示方法(fa)：吸收(shou)光能(neng)量隨化(hua)學位移的變(bian)化(hua)

　　提供的(de)信息：峰的(de)化(hua)學位移、強度、裂分數和偶合常數，提供核的(de)數目、所處化(hua)學環境和幾何構型(xing)的(de)信息

　　電子順磁共振波譜法ESR

 　　分析原理：在外(wai)磁場中，分子中未成對電(dian)子吸收射頻能量，產生電(dian)子自旋(xuan)能級躍遷

　　譜圖的表示方法：吸收光能量或微分能量隨磁場(chang)強度變化

　　提(ti)供的信息(xi)：譜線位置(zhi)、強度、裂分數(shu)目和超精(jing)細分裂常數(shu)，提(ti)供未成對(dui)電子(zi)密(mi)度、分子(zi)鍵特性及幾何(he)構(gou)型信息(xi)

　　質譜分析法MS

　　分析原理(li)：分子(zi)在真(zhen)空(kong)中被電子(zi)轟擊，形(xing)成離子(zi)，通過電磁場(chang)按不同(tong)m/e分離

　　譜圖(tu)的表示方法：以(yi)棒(bang)圖(tu)形式(shi)表示離(li)子的相對峰度隨(sui)m/e的變化(hua)

　　提供的信(xin)息：分子離子及(ji)碎片離子的質(zhi)量數及(ji)其相對峰度(du)，提供分子量，元素組(zu)成及(ji)結構的信(xin)息

　　氣相色譜法GC

　　分析原理：樣品中各組分在流(liu)動相和固定相之間，由于(yu)分配系數不同而分離(li)

　　譜(pu)圖(tu)的(de)(de)表示(shi)方法(fa)：柱后流出物濃度隨保留(liu)值的(de)(de)變化

　　提供的(de)信息：峰(feng)的(de)保留(liu)值與組分(fen)熱(re)力學參數有關(guan)，是定性依據;峰(feng)面(mian)積與組分(fen)含量有關(guan)

　　反氣相色譜法IGC

　　分(fen)析原理：探針分(fen)子(zi)保留值的變化(hua)取決于它和(he)作為固定(ding)相的聚合物(wu)樣品(pin)之間(jian)的相互作用(yong)力

　　譜(pu)圖的表(biao)示方法：探針分子比保(bao)留體積的對數值隨柱溫(wen)倒數的變化(hua)曲(qu)線

　　提供(gong)(gong)的信(xin)息：探針分子保留值與(yu)溫(wen)度的關系提供(gong)(gong)聚合物(wu)的熱力學參數

　　裂解氣相色譜法PGC

　　分(fen)析原(yuan)理：高分(fen)子(zi)材料在(zai)一定(ding)條件(jian)下瞬(shun)間裂解，可獲得具(ju)有一定(ding)特征的(de)碎片(pian)

　　譜(pu)圖的(de)表示(shi)方法：柱后流出物濃度(du)隨(sui)保留值的(de)變化

　　提(ti)供(gong)的信息：譜(pu)圖的指紋性或特征碎片峰，表征聚合物的化學結構和幾何(he)構型(xing)

　　凝膠色譜法GPC

　　分(fen)(fen)(fen)析原理(li)：樣品(pin)通過凝膠(jiao)柱(zhu)時，按分(fen)(fen)(fen)子的流(liu)體力學體積不(bu)同(tong)進(jin)行分(fen)(fen)(fen)離(li)，大分(fen)(fen)(fen)子先流(liu)出(chu)

　　譜(pu)圖的表示方法：柱后流出物濃度隨保(bao)留值的變(bian)化(hua)

　　提供的信息：高聚物的平(ping)均分子量(liang)及其分布

　　熱重法TG

　　分析原(yuan)理：在控溫環境中(zhong)，樣品重量(liang)隨(sui)溫度(du)或(huo)時間變化

　　譜圖的(de)表示(shi)方(fang)法：樣(yang)品的(de)重量(liang)分數隨溫度或時(shi)間的(de)變化曲線

　　提供的信息：曲線陡降處為樣品失(shi)重區(qu)(qu)，平臺區(qu)(qu)為樣品的熱穩定區(qu)(qu)

　　熱差分析DTA

　　分析原理：樣品(pin)與參比(bi)物處于(yu)同一控溫(wen)(wen)環(huan)境中，由于(yu)二者(zhe)導(dao)熱系數不同產生溫(wen)(wen)差(cha)，記錄溫(wen)(wen)度隨環(huan)境溫(wen)(wen)度或時間的變(bian)化(hua)

　　譜圖的(de)表示(shi)方法：溫差隨環境(jing)溫度或(huo)時間的(de)變(bian)化曲線

　　提供(gong)的信息：提供(gong)聚合物熱轉變溫度及各種熱效(xiao)應的信息

　　TG-DTA圖

　　示差掃描(miao)量熱分析DSC

　　分(fen)析原理：樣品與(yu)參比(bi)物處于同(tong)一(yi)控溫環(huan)境(jing)中，記錄維(wei)持溫差為零時，所需能量隨環(huan)境(jing)溫度或時間的變化

　　譜(pu)圖(tu)的表示方法(fa)：熱量或其變化率(lv)隨環境溫度或時間的變化曲線

 　　提供的信(xin)息：提供聚合物熱(re)轉變溫度及各種熱(re)效應(ying)的信(xin)息

　　靜態熱―力分析TMA

　　分析(xi)原理(li)：樣品在恒力(li)作用(yong)下(xia)產生的形變隨(sui)溫度(du)或時間變化

　　譜圖的表(biao)示方法：樣品形變值(zhi)隨溫度或時間變化曲線

　　提供(gong)的信息：熱(re)轉變溫度和(he)力學狀態

　　動態熱―力分析DMA

　　分析原理：樣品在(zai)周(zhou)期性變(bian)化的(de)外(wai)力作用(yong)下產生的(de)形變(bian)隨溫度的(de)變(bian)化

　　譜(pu)圖的表示方法：模量或tgδ隨溫度變化曲線

　　提供(gong)的(de)信息：熱轉變溫度(du)模量(liang)和tgδ

　　透射電子顯微術TEM

　　分析原理：高能電子束穿透試樣時發(fa)生散射(she)(she)、吸收、干(gan)涉和衍射(she)(she)，使得在相平面形成(cheng)襯度，顯示出圖象

　　譜圖的表示方法：質厚襯度象(xiang)、明(ming)場衍(yan)襯象(xiang)、暗(an)場衍(yan)襯象(xiang)、晶格條紋象(xiang)、和分(fen)子象(xiang)

　　提供(gong)的信息：晶體形貌、分(fen)子量分(fen)布(bu)、微(wei)孔尺寸分(fen)布(bu)、多相結(jie)構和晶格與缺陷等

　　掃描電子顯微術SEM

　　分析原理：用(yong)電(dian)子(zi)技術檢測高(gao)能電(dian)子(zi)束(shu)與樣品作用(yong)時(shi)產生二次電(dian)子(zi)、背(bei)散射(she)電(dian)子(zi)、吸收電(dian)子(zi)、X射(she)線等并(bing)放大成象(xiang)

　　譜圖(tu)的(de)表(biao)示方法：背散射象、二(er)次(ci)電子象、吸收電流象、元素(su)的(de)線分(fen)布和面分(fen)布等

　　提(ti)供的(de)信(xin)息(xi)：斷口形貌、表(biao)面顯(xian)微結構、薄膜內部的(de)顯(xian)微結構、微區(qu)元素(su)分析(xi)與定量元素(su)分析(xi)等

　　原子吸收AAS

　　原(yuan)理：通(tong)過原(yuan)子(zi)化器將待(dai)測(ce)試(shi)樣原(yuan)子(zi)化，待(dai)測(ce)原(yuan)子(zi)吸(xi)(xi)收待(dai)測(ce)元素(su)(su)空心陰極燈(deng)的(de)光(guang)，從而使(shi)用檢(jian)測(ce)器檢(jian)測(ce)到的(de)能量變(bian)低，從而得(de)到吸(xi)(xi)光(guang)度。吸(xi)(xi)光(guang)度與待(dai)測(ce)元素(su)(su)的(de)濃度成正比。

　　(Inductivecouplinghighfrequencyplasma)電(dian)感耦合高頻等離子體ICP

　　原(yuan)(yuan)理：利(li)用氬等(deng)(deng)離子(zi)體產生的(de)(de)(de)(de)(de)高溫使用試(shi)樣完全分(fen)解形成(cheng)激發(fa)態(tai)(tai)的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)和離子(zi)，由于激發(fa)態(tai)(tai)的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)和離子(zi)不穩定，外層電(dian)子(zi)會從激發(fa)態(tai)(tai)向低的(de)(de)(de)(de)(de)能級躍(yue)遷，因此(ci)發(fa)射出特征的(de)(de)(de)(de)(de)譜線。通過(guo)光柵等(deng)(deng)分(fen)光后，利(li)用檢測器檢測特定波長的(de)(de)(de)(de)(de)強(qiang)度，光的(de)(de)(de)(de)(de)強(qiang)度與(yu)待測元素濃度成(cheng)正比。

　　X-raydiffraction,x射線衍射即XRD

　　X射(she)(she)線(xian)是原子內層(ceng)電子在高(gao)速運動(dong)電子的(de)(de)轟(hong)擊(ji)下躍(yue)遷而(er)產生(sheng)的(de)(de)光(guang)(guang)輻射(she)(she)，主要有連續X射(she)(she)線(xian)和(he)特征X射(she)(she)線(xian)兩種。晶體可被用作X光(guang)(guang)的(de)(de)光(guang)(guang)柵，這些很大數(shu)目的(de)(de)原子或離(li)子/分子所產生(sheng)的(de)(de)相(xiang)干(gan)散(san)射(she)(she)將會(hui)發生(sheng)光(guang)(guang)的(de)(de)干(gan)涉作用，從而(er)影響散(san)射(she)(she)的(de)(de)X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)強度(du)(du)增強或減弱。由(you)于大量原子散(san)射(she)(she)波的(de)(de)疊加，互相(xiang)干(gan)涉而(er)產生(sheng)最大強度(du)(du)的(de)(de)光(guang)(guang)束稱為(wei)X射(she)(she)線(xian)的(de)(de)衍(yan)射(she)(she)線(xian)。

　　滿足衍射條件，可應(ying)用布拉格公(gong)式：2dsinθ=λ

　　應(ying)用(yong)(yong)已知(zhi)波長(chang)的(de)(de)X射線(xian)來測量θ角，從而計(ji)算出(chu)(chu)晶(jing)面間距d，這是用(yong)(yong)于X射線(xian)結(jie)構分析;另(ling)一個(ge)是應(ying)用(yong)(yong)已知(zhi)d的(de)(de)晶(jing)體來測量θ角，從而計(ji)算出(chu)(chu)特征(zheng)X射線(xian)的(de)(de)波長(chang)，進而可在(zai)已有資料查出(chu)(chu)試樣(yang)中所含的(de)(de)元素。

　　高效毛細管電泳(highperformancecapillaryelectrophoresis，HPCE)

　　CZE的基本原理

　　HPLC選(xuan)用(yong)的(de)(de)(de)(de)毛(mao)細(xi)管(guan)一(yi)(yi)般內徑約為50μm(20～200μm)，外(wai)徑為375μm，有(you)效長度(du)(du)(du)為50cm(7～100cm)。毛(mao)細(xi)管(guan)兩(liang)(liang)端分(fen)別浸入兩(liang)(liang)分(fen)開的(de)(de)(de)(de)緩(huan)(huan)沖(chong)液(ye)(ye)(ye)(ye)中(zhong)(zhong)，同(tong)(tong)時(shi)兩(liang)(liang)緩(huan)(huan)沖(chong)液(ye)(ye)(ye)(ye)中(zhong)(zhong)分(fen)別插入連有(you)高壓電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極，該電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓使得分(fen)析樣(yang)(yang)品(pin)(pin)沿毛(mao)細(xi)管(guan)遷(qian)移(yi)，當分(fen)離樣(yang)(yang)品(pin)(pin)通(tong)(tong)過檢測器時(shi)，可對樣(yang)(yang)品(pin)(pin)進行(xing)分(fen)析處理。HPLC進樣(yang)(yang)一(yi)(yi)般采用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)動(dong)力(li)學進樣(yang)(yang)(低電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓)或流(liu)(liu)體(ti)力(li)學進樣(yang)(yang)(壓力(li)或抽(chou)吸)兩(liang)(liang)種(zhong)方式。在(zai)毛(mao)細(xi)管(guan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳(yong)(yong)系統中(zhong)(zhong)，帶(dai)(dai)(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)溶質在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作(zuo)(zuo)用(yong)下(xia)發(fa)生(sheng)定(ding)向(xiang)(xiang)遷(qian)移(yi)，其(qi)表觀(guan)遷(qian)移(yi)速度(du)(du)(du)是溶質遷(qian)移(yi)速度(du)(du)(du)與(yu)溶液(ye)(ye)(ye)(ye)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲(shen)流(liu)(liu)速度(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)矢量(liang)和。所(suo)謂(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲(shen)是指在(zai)高電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓作(zuo)(zuo)用(yong)下(xia)，雙電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)水合陰離子引起流(liu)(liu)體(ti)整體(ti)地朝負(fu)極方向(xiang)(xiang)移(yi)動(dong)的(de)(de)(de)(de)現象;電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳(yong)(yong)是指在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)解(jie)質溶液(ye)(ye)(ye)(ye)中(zhong)(zhong)，帶(dai)(dai)(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)粒子在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作(zuo)(zuo)用(yong)下(xia)，以不同(tong)(tong)的(de)(de)(de)(de)速度(du)(du)(du)向(xiang)(xiang)其(qi)所(suo)帶(dai)(dai)(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷相反(fan)方向(xiang)(xiang)遷(qian)移(yi)的(de)(de)(de)(de)現象。溶質的(de)(de)(de)(de)遷(qian)移(yi)速度(du)(du)(du)由其(qi)所(suo)帶(dai)(dai)(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷數和分(fen)子量(liang)大小決定(ding)，另(ling)外(wai)還受緩(huan)(huan)沖(chong)液(ye)(ye)(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)組成、性(xing)質、pH值(zhi)等多種(zhong)因素影響(xiang)。帶(dai)(dai)(dai)正電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)(de)(de)(de)組份沿毛(mao)細(xi)管(guan)壁形成有(you)機雙層(ceng)向(xiang)(xiang)負(fu)極移(yi)動(dong)，帶(dai)(dai)(dai)負(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)(de)(de)(de)組分(fen)被分(fen)配(pei)至毛(mao)細(xi)管(guan)近中(zhong)(zhong)區(qu)域，在(zai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場作(zuo)(zuo)用(yong)下(xia)向(xiang)(xiang)正極移(yi)動(dong)。與(yu)此同(tong)(tong)時(shi)，緩(huan)(huan)沖(chong)液(ye)(ye)(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)滲(shen)流(liu)(liu)向(xiang)(xiang)負(fu)極移(yi)動(dong)，其(qi)作(zuo)(zuo)用(yong)超過電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)泳(yong)(yong)，最終導致帶(dai)(dai)(dai)正電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷、中(zhong)(zhong)性(xing)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷、負(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)(de)(de)(de)組份依次(ci)通(tong)(tong)過檢測器。

　　MECC的基本原理

　　MECC是(shi)在(zai)CZE基(ji)礎(chu)上使用表面活(huo)性劑來(lai)充當(dang)膠束(shu)(shu)相(xiang)，以(yi)(yi)膠束(shu)(shu)增(zeng)溶作為(wei)分(fen)(fen)配原理，溶質(zhi)在(zai)水(shui)相(xiang)、膠束(shu)(shu)相(xiang)中(zhong)的(de)分(fen)(fen)配系(xi)數不同(tong)，在(zai)電(dian)場作用下，毛細管中(zhong)溶液的(de)電(dian)滲流和(he)膠束(shu)(shu)的(de)電(dian)泳(yong)，使膠束(shu)(shu)和(he)水(shui)相(xiang)有不同(tong)的(de)遷移速度，同(tong)時(shi)待(dai)分(fen)(fen)離(li)物(wu)質(zhi)在(zai)水(shui)相(xiang)和(he)膠束(shu)(shu)相(xiang)中(zhong)被(bei)多次分(fen)(fen)配，在(zai)電(dian)滲流和(he)這種分(fen)(fen)配過程的(de)雙(shuang)重作用下得以(yi)(yi)分(fen)(fen)離(li)。MECC是(shi)電(dian)泳(yong)技(ji)術與色譜法的(de)結合，適合同(tong)時(shi)分(fen)(fen)離(li)分(fen)(fen)析中(zhong)性和(he)帶電(dian)的(de)樣品分(fen)(fen)子。

　　掃描隧道顯微鏡(STM)

　　掃描(miao)隧(sui)道顯微鏡(STM)的基本原(yuan)理是(shi)利用量子理論中的隧(sui)道效(xiao)應(ying)。將原(yuan)子線度的極細探針和被研究物質(zhi)的表面作為兩個(ge)電極，當樣品與針尖(jian)的距(ju)離非常(chang)接(jie)近時(通(tong)常(chang)小于1nm)，在(zai)外加電場的作用下，電子會(hui)穿過兩個(ge)電極之間的勢(shi)壘流(liu)向另一電極。這種(zhong)現(xian)象即是(shi)隧(sui)道效(xiao)應(ying)。

　　原子力顯微鏡(AtomicForceMicroscopy，簡稱AFM)

　　原子(zi)力(li)顯微(wei)(wei)(wei)鏡(jing)的(de)(de)工(gong)作原理就(jiu)是將探(tan)針裝在(zai)一(yi)(yi)彈性微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)一(yi)(yi)端(duan)(duan)，微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)另一(yi)(yi)端(duan)(duan)固定，當探(tan)針在(zai)樣品(pin)(pin)表面掃(sao)描時，探(tan)針與(yu)樣品(pin)(pin)表面原子(zi)間的(de)(de)排斥(chi)(chi)力(li)會使得微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)(xuan)臂(bei)輕微(wei)(wei)(wei)變形(xing)，這樣，微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)輕微(wei)(wei)(wei)變形(xing)就(jiu)可(ke)(ke)以(yi)作為(wei)探(tan)針和(he)樣品(pin)(pin)間排斥(chi)(chi)力(li)的(de)(de)直接量度(du)。一(yi)(yi)束激光(guang)經微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)背面反射到光(guang)電(dian)檢(jian)測器，可(ke)(ke)以(yi)精確測量微(wei)(wei)(wei)懸(xuan)(xuan)(xuan)臂(bei)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)小變形(xing)，這樣就(jiu)實現了通過檢(jian)測樣品(pin)(pin)與(yu)探(tan)針之間的(de)(de)原子(zi)排斥(chi)(chi)力(li)來反映樣品(pin)(pin)表面形(xing)貌和(he)其他表面結構。

　　俄歇電子能譜學(Augerelectronspectroscopy)，簡稱AES

　　俄歇(xie)(xie)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)能(neng)譜(pu)基本原(yuan)理：入射(she)(she)(she)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)束和物質(zhi)作用，可(ke)(ke)以(yi)激發(fa)出原(yuan)子(zi)的內層電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)。外層電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)向內層躍遷過程中所釋放的能(neng)量，可(ke)(ke)能(neng)以(yi)X光的形式(shi)放出，即產生特(te)征(zheng)X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)，也可(ke)(ke)能(neng)又使核外另一電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)激發(fa)成為自(zi)由電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)，這種(zhong)(zhong)自(zi)由電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)就是(shi)俄歇(xie)(xie)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)。對于(yu)一個原(yuan)子(zi)來說,激發(fa)態(tai)原(yuan)子(zi)在(zai)釋放能(neng)量時只能(neng)進(jin)行一種(zhong)(zhong)發(fa)射(she)(she)(she)：特(te)征(zheng)X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)或(huo)俄歇(xie)(xie)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)。原(yuan)子(zi)序(xu)數大(da)的元(yuan)素，特(te)征(zheng)X射(she)(she)(she)線(xian)(xian)的發(fa)射(she)(she)(she)幾率較大(da)，原(yuan)子(zi)序(xu)數小(xiao)的元(yuan)素，俄歇(xie)(xie)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)發(fa)射(she)(she)(she)幾率較大(da)，當原(yuan)子(zi)序(xu)數為33時，兩種(zhong)(zhong)發(fa)射(she)(she)(she)幾率大(da)致相(xiang)等。因此，俄歇(xie)(xie)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)能(neng)譜(pu)適(shi)用于(yu)輕元(yuan)素的分析。